Memoria RAM 16GB DDR4 SODIMM, KVR32S22S8/16

₡30 890,00

Sku: KS00200

Número de pieza del fabricante: KVR32S22S8/16

Cant.:

Entrega disponible para todo el país

En cuotas

Tasa cero

Mini cuotas

Dimension*: XS

Fabricante: Kingston

Memoria RAM DDR4
Capacidad de 16 GB
Velocidad de hasta 3,200 MHz
Mejora el rendimiento de tu computadora
Módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM Sincrónica) de 2G x 64 bits (16GB), 1Rx8, no ECC, basado en ocho componentes FBGA de 2G x 8 bits

Marca	Kingston
Número de parte	KVR32S22S8/16
Capacidad	16 GB
Velocidad (velocidad de datos)	3200 MT/s (PC4-25600)
Velocidad (tasa de reloj)	1600 MHz
Tipo de módulo	SO-DIMM
Comprobación de errores	No ECC
Cantidad de módulos	1
Latencia CAS	CL22
Factor de forma	DDR4
Rango	1R (rango único)
Pines	260
Densidad DRAM	16 Gbit
Profundidad de memoria	2G
CL (IDD)	22 ciclos
tRC mín	45.75ns(min.)
tRFC mín	350ns(min.)
tRAS mín	32ns(min.)
Ancho de datos	x64
Organización de fichas	x8
Clasificación UL	94 V - 0
Temperatura en operación	0o C a +85o C
Temperatura de almacenamiento	-55o C a +100o C
VDDQ	1.2 v (típico)
VPP	2.5 v (típico)
VDDSPD	2.2 v a 3.6 v
Voltaje de memoria	1.2 v

Memoria RAM DDR4
Capacidad de 16 GB
Velocidad de hasta 3,200 MHz
Mejora el rendimiento de tu computadora
Módulo de memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM Sincrónica) de 2G x 64 bits (16GB), 1Rx8, no ECC, basado en ocho componentes FBGA de 2G x 8 bits

Marca	Kingston
Número de parte	KVR32S22S8/16
Capacidad	16 GB
Velocidad (velocidad de datos)	3200 MT/s (PC4-25600)
Velocidad (tasa de reloj)	1600 MHz
Tipo de módulo	SO-DIMM
Comprobación de errores	No ECC
Cantidad de módulos	1
Latencia CAS	CL22
Factor de forma	DDR4
Rango	1R (rango único)
Pines	260
Densidad DRAM	16 Gbit
Profundidad de memoria	2G
CL (IDD)	22 ciclos
tRC mín	45.75ns(min.)
tRFC mín	350ns(min.)
tRAS mín	32ns(min.)
Ancho de datos	x64
Organización de fichas	x8
Clasificación UL	94 V - 0
Temperatura en operación	0o C a +85o C
Temperatura de almacenamiento	-55o C a +100o C
VDDQ	1.2 v (típico)
VPP	2.5 v (típico)
VDDSPD	2.2 v a 3.6 v
Voltaje de memoria	1.2 v

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